硅晶体管绝对是当今世界最先进的技术了，要比美利坚已申请专利的锗晶体管先进太多，锗晶体管太落后不说毛病还多，工作时不但回流太大，还不耐高温，

工作稳定性差到令人发指，通过电压还低得可怜，损坏率却高得离谱！这和咱们的硅晶体管相比简直就是一个天上一个地下，完全就是一堆毫无价值的破烂！

锗晶体管那破玩意儿除了能在低压端勉强派上点用场外，简直就是一无是处！它和硅晶体管之间的差距就如同云泥之别，根本无法在市场上与之竞争，

我敢说，5年都用不了，他们那个破锗晶体管就会被市场彻底淘汰，连一点残渣都不剩！

我们海南基地国家科学院的专利事务部当初成立就是未雨绸缪，将所有关于晶体管的发明专利和制造专利的注册资料都准备得妥妥当当了。

等我们国家内部彻底安定下来以后，我们就先在国内大量的注册专利。在国内的专利注册完成以后，还要在国际上注册发明专利和制造专利。

尤其是阿美莉卡他们的那个破锗晶体管，虽然他们只是注册了一个发明专利，但这并不意味着他们就能够高枕无忧了。

要知道，发明专利和制造专利可是完全不同的两个概念！目前，他们尚未注册制造专利，这对于他们来说无疑是一个巨大的隐患。

我们绝对不能坐视不管，必须要抓住这个千载难逢的机会，争分夺秒地去注册制造专利。只有这样，我们才能在未来的半导体行业的激烈竞争中抢占先机，

并立于不败之地。我们成功拿下制造专利，那么阿美莉卡他们想要生产相关产品时，只要我们不高兴就会死死地卡住他们的脖子，不经过我们的同意，

他们根本无法顺利的投产。这就好比是一场没有硝烟的战争，谁能大量的掌握各种专利，谁就能在市场竞争中拥有绝对的话语权。我就是什么都不干，

都可以源源不断的给我们付专利费，否则就不能生产所以说，这次的注册工作可不是一件小事，容不得半点马虎。我们必须要全力以赴，

确保每一个环节都不出差错，只有这样，我们才能始终赢得专利战和商战的胜利。

所以，我们必须要做到事无巨细、滴水不漏。每一个细节都不能放过，确保我们的专利申请万无一失，不给任何一个对手留下任何的可乘之机。

坚决不能留给那些佯装文明人的流氓们一点钻空子的机会。森所长，您也知道资料上显示晶体管门类众多，我们一定要抢先注册各种有关晶体管的专利，

尽快的、提前高高的树起各种相关的技术壁垒来，把晶体管所有门类都要抢先注册了！不管是低频、高频、超高频等等，无论是哪一种型号，

哪一种制造工艺一定都要事无巨细的注册专利，等他们想要生产相关的产品，就无法逃脱我们庞大的专利技术壁垒！他们这些穿着西装的流氓就是这么干的。